Инженеры Intel изменили дизайн DRAM-памяти: теперь каждая ее ячейка состоит из всего лишь двух транзисторов, а конденсаторы полностью исключены. Размеры памяти стали меньше настолько, что теперь ее можно помещать прямо в процессор, сообщает TG Daily.

Такая память, присоединенная к процессору, сможет полностью заменить кэш, который составляет более дорогая и медленная память SRAM (статическая память со случайным доступом). Ученым удалось разогнать память до 2 ГГц и достичь пропускной способности 128 ГБ в секунду – в несколько раз больше по сравнению со статической памятью.

Пока новая DRAM выполнена с использованием 65-нм технологической нормы. Однако в компании надеются, что при переходе на новую формулу транзисторов им удастся повысить частоту памяти до значений, сопоставимых с тактовой частотой процессоров. После этого новую DRAM планируется использовать в процессорах Intel Terascale. Похожие публикации

• Samsung представила 40-нм DRAM-память
• Xbox 360 переходит на 90-нм встроенную память
• Рынок DRAM-памяти упал до 8-летнего минимума
• Kingston выпускает память HyperX DDR3 с частотой 2 ГГц
• Intel оценила новые процессоры Nehalem