Toshiba совершенствует флэш-технологию
08.02.2013
Изобретатель флэш-памяти — японская Toshiba продемонстрировала новейшие разработки на выставке Nano Tech 2013. Используя самый передовой процесс изготовления полупроводниковых элементов с минимальными размерами 19 нанометров (нм), компания изготовила 128 ГБ чипы NAND флэш-памяти. На стендах были выставлены 300 мм пластины-заготовки для нарезки чипов.
Еще одна новинка Toshiba – 3-х битная многоуровневая ячейка памяти. Эту технологию называют multiple-level cell (MLC).
Toshiba также уделяет особое внимание многослойной концепции микросхем (чипов) памяти. Так 128 ГБ модуль сделан в 16 слоев толщиной 30 мкм, с емкостью каждого слоя в 64 Гб.
Вернуться назад