Samsung готовится к производству 14 нм FinFET чипов
26.12.2012
Компания Samsung объявила о достижении еще одного технологического рубежа, которым стала 14-нанометровая (нм) производственная технологии FinFET. 14-нанометровые размеры отдельных элементов полупроводниковых чипов позволят еще более повысить плотность упаковки отдельных транзисторов в составе чипов, а также снизить их энергопотребление и повысить быстродействие процессоров.
Впервые предложенная Intel технология FinFET представляет отдельные транзисторы внутри микросхем уже не в плоском (планарном) виде, а в форме типа 3D конструкции, что тоже дает какие-то технологические преимущества. Хотя, недавно компания IBM заявила, что планарные транзисторы будут жить до освоения рубежа в 10 нм.
Несколько ранее о планах производства 14 нм FinFET чипов объявила тайваньская компания TSMC. Таким образом, эти компании по технологическим возможностям догоняют Intel, которая долгое время была практически единственным передовым локомотивом в процессе снижения размеров технологических норм в производстве полупроводниковых чипов.
Вернуться назад